Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бочкарева, Н. И. - Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN - светодиодов с ...
Бочкарева, Н. И. - Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN - светодиодов с ...
Статья
Автор: Бочкарева, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN - светодиодов с ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бочкарева, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN - светодиодов с ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бочкарева, Н. И.
Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN - светодиодов с ростом плотности тока / Н. И. Бочкарева, В. В. Вороненков, Р. И. Горбунов, А. С. Зубрилов, Ф. Е. Латышев, Ю. С. Леликов, Ю. Т. Ребане, А. И. Цюк, Ю. Г. Шретер // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 8 . – С. 1054-1062 .
Бочкарева, Н. И.
Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN - светодиодов с ростом плотности тока / Н. И. Бочкарева, В. В. Вороненков, Р. И. Горбунов, А. С. Зубрилов, Ф. Е. Латышев, Ю. С. Леликов, Ю. Т. Ребане, А. И. Цюк, Ю. Г. Шретер // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 8 . – С. 1054-1062 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 8
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 8
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный