Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 10 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 10 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Фадеев, А. Ю.
О росте монокристаллов карбида кремния политипа 4H на затравках с плоскостью (1122)
б.г.
ISBN отсутствует
Фадеев, А. Ю.
О росте монокристаллов карбида кремния политипа 4H на затравках с плоскостью (1122)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Инжин, И. И.
Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на к...
б.г.
ISBN отсутствует
Инжин, И. И.
Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на к...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Цацульников, А. Ф.
Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения
б.г.
ISBN отсутствует
Цацульников, А. Ф.
Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ashrat, M.
Influence of source-to-substrate distance on the properties of ZnS films grown by close-space sub...
б.г.
ISBN отсутствует
Ashrat, M.
Influence of source-to-substrate distance on the properties of ZnS films grown by close-space sub...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Винокуров, Д. А.
Лазерные диоды, излучающие на длине волны 850 нм, на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Винокуров, Д. А.
Лазерные диоды, излучающие на длине волны 850 нм, на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Chen, H.
Failure analysis of electrical-thermal-optical characteristics of LEDs based on AlGalnP and InGaN...
б.г.
ISBN отсутствует
Chen, H.
Failure analysis of electrical-thermal-optical characteristics of LEDs based on AlGalnP and InGaN...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ткач, Н. В.
Активная проводимость трехбарьерной резонансно-туннельной структуры и оптимизация работы квантово...
б.г.
ISBN отсутствует
Ткач, Н. В.
Активная проводимость трехбарьерной резонансно-туннельной структуры и оптимизация работы квантово...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Pardeshi, H.
Comparative assessment of III-V heterostructure and silicon underlap double gate MOSFETs
б.г.
ISBN отсутствует
Pardeshi, H.
Comparative assessment of III-V heterostructure and silicon underlap double gate MOSFETs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лукин, П. В.
Оптические свойства структур GaAs, содержащих периодическую систему слоев металлических нановключ...
б.г.
ISBN отсутствует
Лукин, П. В.
Оптические свойства структур GaAs, содержащих периодическую систему слоев металлических нановключ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Цацульников, А. Ф.
Композитные InGaN/GaN/InAIN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
б.г.
ISBN отсутствует
Цацульников, А. Ф.
Композитные InGaN/GaN/InAIN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Тихов, С. В.
Малосигнальный эффект поля в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Тихов, С. В.
Малосигнальный эффект поля в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Рудь, В. Ю.
Создание и фотоэлектрические свойства гетероструктур Ox/ρ-InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Рудь, В. Ю.
Создание и фотоэлектрические свойства гетероструктур Ox/ρ-InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ницук, Ю. А.
Исследование примесной фотопроводимости и люминесценции в кристаллах ZnSe : Ni в видимой области ...
б.г.
ISBN отсутствует
Ницук, Ю. А.
Исследование примесной фотопроводимости и люминесценции в кристаллах ZnSe : Ni в видимой области ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Велиев, Р. Г.
О супермагнетизме в квазиодномерных полупроводниковых антиферромагнетиках TIFeS2, TIFeSe2
б.г.
ISBN отсутствует
Велиев, Р. Г.
О супермагнетизме в квазиодномерных полупроводниковых антиферромагнетиках TIFeS2, TIFeSe2
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Житинская, М. К.
Явления переноса в слоистых анизотропных соединениях MeBi4Te7 (Me = Ge, Pb, Sn)
б.г.
ISBN отсутствует
Житинская, М. К.
Явления переноса в слоистых анизотропных соединениях MeBi4Te7 (Me = Ge, Pb, Sn)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Пагава, Т. А.
Изохронный отжиг образцов n-Si, облученных протонами с энергией 25 МэВ
б.г.
ISBN отсутствует
Пагава, Т. А.
Изохронный отжиг образцов n-Si, облученных протонами с энергией 25 МэВ
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Жуков, А. Е.
Приборные характеристики длинноволновых лазеров на основе самоорганизующихся квантовых точек
б.г.
ISBN отсутствует
Жуков, А. Е.
Приборные характеристики длинноволновых лазеров на основе самоорганизующихся квантовых точек
б.г.
ISBN отсутствует