Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лобанов, Д. Н. - Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с ...
Лобанов, Д. Н. - Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с ...
Статья
Автор: Лобанов, Д. Н.
Физика и техника полупроводников: Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лобанов, Д. Н.
Физика и техника полупроводников: Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лобанов, Д. Н.
Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001) / Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, К. Е. Кудрявцев, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, Н. Д. Захаров, Р. Werner // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 11 . – C. 1448-1452 .
Лобанов, Д. Н.
Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001) / Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, К. Е. Кудрявцев, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, Н. Д. Захаров, Р. Werner // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 11 . – C. 1448-1452 .