Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Алексеев, А. Н. - Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Алексеев, А. Н. - Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Статья
Автор: Алексеев, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Алексеев, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Алексеев, А. Н.
Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. Н. Алексеев, Д. М. Красовицкий, С. И. Петров, В. П. Чалый // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 11 . – С. 1460-1462 .
Алексеев, А. Н.
Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. Н. Алексеев, Д. М. Красовицкий, С. И. Петров, В. П. Чалый // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 11 . – С. 1460-1462 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 11
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 11
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный