Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Tsai, J.-H. - Comparative investigation of InP/InGaAs abrupt, setback, and heterostructure-emitter heterojuncti...
Tsai, J.-H. - Comparative investigation of InP/InGaAs abrupt, setback, and heterostructure-emitter heterojuncti...
Статья
Автор: Tsai, J.-H.
Физика и техника полупроводников: Comparative investigation of InP/InGaAs abrupt, setback, and heterostructure-emitter heterojuncti...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Tsai, J.-H.
Физика и техника полупроводников: Comparative investigation of InP/InGaAs abrupt, setback, and heterostructure-emitter heterojuncti...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Tsai, J.-H.
Comparative investigation of InP/InGaAs abrupt, setback, and heterostructure-emitter heterojunction bipolar transistors / J.-H. Tsai, C.-H. Huang, Y.-C. Ma, Y.-R. Wu // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 12 . – С. 1619-1624 .
Tsai, J.-H.
Comparative investigation of InP/InGaAs abrupt, setback, and heterostructure-emitter heterojunction bipolar transistors / J.-H. Tsai, C.-H. Huang, Y.-C. Ma, Y.-R. Wu // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 12 . – С. 1619-1624 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 12
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 12
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный