Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Качурин, Г. А. - Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO2
Качурин, Г. А. - Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO2
Статья
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO2
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO2
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Качурин, Г. А.
Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO2 / Г. А. Качурин, С. Г. Черкова, Д. В. Марин // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 3 . – С. 334-339 .
Качурин, Г. А.
Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO2 / Г. А. Качурин, С. Г. Черкова, Д. В. Марин // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 3 . – С. 334-339 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 3
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 3
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный