Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Рожавская, М. М. - Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN
Рожавская, М. М. - Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN
Статья
Автор: Рожавская, М. М.
Физика и техника полупроводников: Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Рожавская, М. М.
Физика и техника полупроводников: Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Рожавская, М. М.
Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN / М. М. Рожавская, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 3 . – С. 414-419 .
Рожавская, М. М.
Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN / М. М. Рожавская, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 3 . – С. 414-419 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 3
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 3
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный