Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Hongbo, Yu - Effects of high-temperature AlN buffer on the microstructure of AlGaN/GaN HEMTs
Hongbo, Yu - Effects of high-temperature AlN buffer on the microstructure of AlGaN/GaN HEMTs
Статья
Автор: Hongbo, Yu
Физика и техника полупроводников: Effects of high-temperature AlN buffer on the microstructure of AlGaN/GaN HEMTs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Hongbo, Yu
Физика и техника полупроводников: Effects of high-temperature AlN buffer on the microstructure of AlGaN/GaN HEMTs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Hongbo, Yu.
Effects of high-temperature AlN buffer on the microstructure of AlGaN/GaN HEMTs / Yu Hongbo // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 6 . – C. 810-814 .
Hongbo, Yu.
Effects of high-temperature AlN buffer on the microstructure of AlGaN/GaN HEMTs / Yu Hongbo // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 6 . – C. 810-814 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 6
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 6
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный