Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Gassoumi, M. - Effect of surface passivation by SiN/SiO2 of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si s...
Gassoumi, M. - Effect of surface passivation by SiN/SiO2 of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si s...
Статья
Автор: Gassoumi, M.
Физика и техника полупроводников: Effect of surface passivation by SiN/SiO2 of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si s...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Gassoumi, M.
Физика и техника полупроводников: Effect of surface passivation by SiN/SiO2 of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si s...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Gassoumi, M.
Effect of surface passivation by SiN/SiO2 of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si substrate by deep level transient spectroscopy method / M. Gassoumi, Hana Mosbahi // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 7 . – C. 1002-1005 .
Gassoumi, M.
Effect of surface passivation by SiN/SiO2 of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si substrate by deep level transient spectroscopy method / M. Gassoumi, Hana Mosbahi // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 7 . – C. 1002-1005 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 7
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 7
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный