Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Звонков, Б. Н. - Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb - InGaAs)/GaAs
Звонков, Б. Н. - Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb - InGaAs)/GaAs
Статья
Автор: Звонков, Б. Н.
Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb - InGaAs)/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Звонков, Б. Н.
Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb - InGaAs)/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Звонков, Б. Н.
Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb - InGaAs)/GaAs / Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, О. В. Вихрова // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 9 . – C. 1231-1235 .
Звонков, Б. Н.
Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb - InGaAs)/GaAs / Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, О. В. Вихрова // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 9 . – C. 1231-1235 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 9
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 9
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный