Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Шустов, Д. Б. - Сравнительное исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложке 6H-SiC, методом сублимации
Шустов, Д. Б. - Сравнительное исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложке 6H-SiC, методом сублимации
Статья
Автор: Шустов, Д. Б.
Физика и техника полупроводников: Сравнительное исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложке 6H-SiC, методом сублимации
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Шустов, Д. Б.
Физика и техника полупроводников: Сравнительное исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложке 6H-SiC, методом сублимации
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Шустов, Д. Б.
Сравнительное исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложке 6H-SiC, методом сублимации / Д. Б. Шустов, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 9 . – С. 1279-1282 .
Шустов, Д. Б.
Сравнительное исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложке 6H-SiC, методом сублимации / Д. Б. Шустов, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 9 . – С. 1279-1282 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 9
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 9
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный