Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Барабаненков, М. Ю. - Особенности влияния фотовозбуждения p-Si in situ при имплантации малых доз ионов на формирование ...
Барабаненков, М. Ю. - Особенности влияния фотовозбуждения p-Si in situ при имплантации малых доз ионов на формирование ...
Статья
Автор: Барабаненков, М. Ю.
Физика и техника полупроводников: Особенности влияния фотовозбуждения p-Si in situ при имплантации малых доз ионов на формирование ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Барабаненков, М. Ю.
Физика и техника полупроводников: Особенности влияния фотовозбуждения p-Si in situ при имплантации малых доз ионов на формирование ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Барабаненков, М. Ю.
Особенности влияния фотовозбуждения p-Si in situ при имплантации малых доз ионов на формирование радиационных дефектов / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / М. Ю. Барабаненков, А. В. Леонов, В. Н. Мордкович, Н. М. Омельяновская // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 8 . – 897-899 .
Барабаненков, М. Ю.
Особенности влияния фотовозбуждения p-Si in situ при имплантации малых доз ионов на формирование радиационных дефектов / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / М. Ю. Барабаненков, А. В. Леонов, В. Н. Мордкович, Н. М. Омельяновская // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 8 . – 897-899 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 8
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 8
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный