Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Карачевцева, М. В. - Краевая фотолюминесценция сильно легированного InxGa1-xAs1-yPy (ламбда=1.2мкм) / Электронные и оп...
Карачевцева, М. В. - Краевая фотолюминесценция сильно легированного InxGa1-xAs1-yPy (ламбда=1.2мкм) / Электронные и оп...
Статья
Автор: Карачевцева, М. В.
Физика и техника полупроводников: Краевая фотолюминесценция сильно легированного InxGa1-xAs1-yPy (ламбда=1.2мкм) / Электронные и оп...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Карачевцева, М. В.
Физика и техника полупроводников: Краевая фотолюминесценция сильно легированного InxGa1-xAs1-yPy (ламбда=1.2мкм) / Электронные и оп...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Карачевцева, М. В.
Краевая фотолюминесценция сильно легированного InxGa1-xAs1-yPy (ламбда=1.2мкм) / Электронные и оптические свойства полупроводников) / М. В. Карачевцева, В. А. Страхов, Н. Г. Яременко // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 8 . – 907-912 .
Карачевцева, М. В.
Краевая фотолюминесценция сильно легированного InxGa1-xAs1-yPy (ламбда=1.2мкм) / Электронные и оптические свойства полупроводников) / М. В. Карачевцева, В. А. Страхов, Н. Г. Яременко // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 8 . – 907-912 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 8
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 8
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный