Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Есаев, Д. Г. - Вольт-амперные характеристики фотоприемников с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si...
Есаев, Д. Г. - Вольт-амперные характеристики фотоприемников с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si...
Статья
Автор: Есаев, Д. Г.
Физика и техника полупроводников: Вольт-амперные характеристики фотоприемников с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Есаев, Д. Г.
Физика и техника полупроводников: Вольт-амперные характеристики фотоприемников с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Есаев, Д. Г.
Вольт-амперные характеристики фотоприемников с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si:As(BIB-II) / Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники / Д. Г. Есаев, С. П. Синица, К. В. Чернявский // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 8 . – 1005-1009 .
Есаев, Д. Г.
Вольт-амперные характеристики фотоприемников с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si:As(BIB-II) / Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники / Д. Г. Есаев, С. П. Синица, К. В. Чернявский // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 8 . – 1005-1009 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 8
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 8
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный