Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Качурин, Г. А.
Коротковолновая фотолюминесценция слоев SiO2, имплантированных большими дозами ионов Si+, Ge+, и Ar+ / Электронные и оптические свойства полупроводников / Г. А. Качурин, Л. Реболе, В. Скорупа, Р. А. Янков, И. Е. Тысченко, Х. Фреб, Т. Беме, К. Лео // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 4 . – 439-444 .