Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Вейс, А. Н. - Особенности процесса дефектообразования в Pb1-xSnxSe (x<=0.06) / Электронные и оптические свойств...
Вейс, А. Н. - Особенности процесса дефектообразования в Pb1-xSnxSe (x<=0.06) / Электронные и оптические свойств...
Статья
Автор: Вейс, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Особенности процесса дефектообразования в Pb1-xSnxSe (x<=0.06) / Электронные и оптические свойств...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Вейс, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Особенности процесса дефектообразования в Pb1-xSnxSe (x<=0.06) / Электронные и оптические свойств...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Вейс, А. Н.
Особенности процесса дефектообразования в Pb1-xSnxSe (x<=0.06) / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. Н. Вейс, Н. А. Суворова // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 4 . – 445-449 .
Вейс, А. Н.
Особенности процесса дефектообразования в Pb1-xSnxSe (x<=0.06) / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. Н. Вейс, Н. А. Суворова // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 4 . – 445-449 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 4
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 4
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный