Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Байзер, М. В. - Фасетирование поверхности арсенида галлия, близкой по ориентации к (100), в условиях неравновесно...
Байзер, М. В. - Фасетирование поверхности арсенида галлия, близкой по ориентации к (100), в условиях неравновесно...
Статья
Автор: Байзер, М. В.
Физика и техника полупроводников: Фасетирование поверхности арсенида галлия, близкой по ориентации к (100), в условиях неравновесно...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Байзер, М. В.
Физика и техника полупроводников: Фасетирование поверхности арсенида галлия, близкой по ориентации к (100), в условиях неравновесно...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Байзер, М. В.
Фасетирование поверхности арсенида галлия, близкой по ориентации к (100), в условиях неравновесного массопереноса / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / М. В. Байзер, В. Ю. Витухин, И. В. Закурдаев, А. И. Руденко // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 5 . – 527-530 .
Байзер, М. В.
Фасетирование поверхности арсенида галлия, близкой по ориентации к (100), в условиях неравновесного массопереноса / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / М. В. Байзер, В. Ю. Витухин, И. В. Закурдаев, А. И. Руденко // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 5 . – 527-530 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 5
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 5
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный