Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Щербачев, К. Д. - Особенности структуры нарушенного слоя в подложках Si(001), имплантированных ионами неона различн...
Щербачев, К. Д. - Особенности структуры нарушенного слоя в подложках Si(001), имплантированных ионами неона различн...
Статья
Автор: Щербачев, К. Д.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Особенности структуры нарушенного слоя в подложках Si(001), имплантированных ионами неона различн...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Щербачев, К. Д.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Особенности структуры нарушенного слоя в подложках Si(001), имплантированных ионами неона различн...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Щербачев, К. Д.
Особенности структуры нарушенного слоя в подложках Si(001), имплантированных ионами неона различных энергий / Материаловедение и физико-химические основы технологий получения гомо- и гетероэпитаксиальных слоев, в том числе нанослоев, созданных на основе монокристаллического кремния / К. Д. Щербачев, А. В. Курипятник, В. Т. Бублик, В. Н. Мордкович, Д. М. Пажин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2003 . – N 3 . – с. 49-50 .
Щербачев, К. Д.
Особенности структуры нарушенного слоя в подложках Si(001), имплантированных ионами неона различных энергий / Материаловедение и физико-химические основы технологий получения гомо- и гетероэпитаксиальных слоев, в том числе нанослоев, созданных на основе монокристаллического кремния / К. Д. Щербачев, А. В. Курипятник, В. Т. Бублик, В. Н. Мордкович, Д. М. Пажин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2003 . – N 3 . – с. 49-50 .
Привязано к:
Нет экз.