Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Мокеров, В. Г. - Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии на оп...
Мокеров, В. Г. - Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии на оп...
Статья
Автор: Мокеров, В. Г.
Физика и техника полупроводников: Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии на оп...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Мокеров, В. Г.
Физика и техника полупроводников: Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии на оп...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Мокеров, В. Г.
Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии на оптические свойства легированных кремнием слоев арсенида галлия / Электронные и оптические свойства полупроводников / В. Г. Мокеров, Г. Б. Галиев, Ю. В. Слепнев, Ю. В. Хабаров // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 11 . – 1320-1324 .
Мокеров, В. Г.
Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии на оптические свойства легированных кремнием слоев арсенида галлия / Электронные и оптические свойства полупроводников / В. Г. Мокеров, Г. Б. Галиев, Ю. В. Слепнев, Ю. В. Хабаров // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 11 . – 1320-1324 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 11
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 11
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный