Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Ванюков, А. В.
Дефекты стехиометрии в селениде ртути и регулирование свойств кристаллов этого соединения в процессе выращивания из расплава и при последующем отжиге в парах компонентов / А. В. Ванюков, В. М. Безбородова, Г. В. Инденбаум // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.73: Халькогениды цинка, кадмия и ртути / МИСиС, А. В. Ванюков, Г. В. Инденбаум . – М. : Металлургия, 1973 . – 103-112 .

При выращивании монокристаллов селенида ртути нормальной направленной кристаллизацией регулировали скорость охлаждения, состав навески и величину свободного объема в ампуле. Свойтсва кристаллов контролировали измерением эффекта Холла и проводимости, а также коэффициента поглощения. Минимальная полученная концентрация электронов 3,8*1017 см-3. Установлена зависимость концентрации электронов в твердом HgSe от состава расплава. Совокупность свойств после кристаллизации и отжига позволила предложить дефектную модель кристаллов селенида ртути и объяснить электронную проводимость этого материала. На основе представлений о нейтральных комплексных дефектах рассчитаны концентрации дефектов различного вида в области гомогенности HgSe.