Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Горелик, С. С. - Исследование сильнолегированных монокристаллов кремния
Горелик, С. С. - Исследование сильнолегированных монокристаллов кремния

Книга (аналит. описание)
Автор: Горелик, С. С.
Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений: Исследование сильнолегированных монокристаллов кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Горелик, С. С.
Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений: Исследование сильнолегированных монокристаллов кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Горелик, С. С.
Исследование сильнолегированных монокристаллов кремния / С. С. Горелик, М. Я. Дашевский, Ю. С. Сафонов, И. Я. Цвейбак, Э. С. Фалькевич, П. А. Пинчук // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений : Сборник статей / МИСиС, С. С. Горелик, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1974 . – 27-34 .
Исследованы сильнолегированные сурьмой (1-7*10 в 18 степени ат/см куб.) монокристаллы кремния, выращенные по методу Чохральского в направлениях <111> и <100>. Микрорентгеноспектральный анализ показал, что выделения, наблюдаемые в области сильноразвитой ячеистой структуры, имеют состав эвтектической точки на диаграмме состояния Si-Sb. Предложен механизм образования таких выделений.
Горелик, С. С.
Исследование сильнолегированных монокристаллов кремния / С. С. Горелик, М. Я. Дашевский, Ю. С. Сафонов, И. Я. Цвейбак, Э. С. Фалькевич, П. А. Пинчук // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений : Сборник статей / МИСиС, С. С. Горелик, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1974 . – 27-34 .
Исследованы сильнолегированные сурьмой (1-7*10 в 18 степени ат/см куб.) монокристаллы кремния, выращенные по методу Чохральского в направлениях <111> и <100>. Микрорентгеноспектральный анализ показал, что выделения, наблюдаемые в области сильноразвитой ячеистой структуры, имеют состав эвтектической точки на диаграмме состояния Si-Sb. Предложен механизм образования таких выделений.