Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бублик, В. Т. - Исследование концентрационной зависимости периода решетки твердых растворов GaAs-GaP и GaAs-AlAs
Бублик, В. Т. - Исследование концентрационной зависимости периода решетки твердых растворов GaAs-GaP и GaAs-AlAs
Книга (аналит. описание)
Автор: Бублик, В. Т.
Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений: Исследование концентрационной зависимости периода решетки твердых растворов GaAs-GaP и GaAs-AlAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бублик, В. Т.
Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений: Исследование концентрационной зависимости периода решетки твердых растворов GaAs-GaP и GaAs-AlAs
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Бублик, В. Т.
Исследование концентрационной зависимости периода решетки твердых растворов GaAs-GaP и GaAs-AlAs / В. Т. Бублик, С. С. Горелик, М. Г. Шумский, В. Г. Фомин // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений : Сборник статей / МИСиС, С. С. Горелик, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1974 . – 61-69 .
Получены уточненные концентрационные зависимости периода решетки в системах GaAs-GaP и GaAs-AlAs, необходимые для практического определения состава в пленках этих твердых растворов. Обнаружено положительное отклонение концентрической зависимости периода решетки от правил Вегарда, причем относительный избыточный объем смешения, определенный в работе, оказался большим для системы GaAs-AlAs, чем для системы GaAs-GaP. Сделан вывод в квазихимическом приближении о неидеальности твердых растворов исследуемых систем и о том, что энергия смешения в обеих исследованных системах твердых растворов положительна.
Бублик, В. Т.
Исследование концентрационной зависимости периода решетки твердых растворов GaAs-GaP и GaAs-AlAs / В. Т. Бублик, С. С. Горелик, М. Г. Шумский, В. Г. Фомин // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений : Сборник статей / МИСиС, С. С. Горелик, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1974 . – 61-69 .
Получены уточненные концентрационные зависимости периода решетки в системах GaAs-GaP и GaAs-AlAs, необходимые для практического определения состава в пленках этих твердых растворов. Обнаружено положительное отклонение концентрической зависимости периода решетки от правил Вегарда, причем относительный избыточный объем смешения, определенный в работе, оказался большим для системы GaAs-AlAs, чем для системы GaAs-GaP. Сделан вывод в квазихимическом приближении о неидеальности твердых растворов исследуемых систем и о том, что энергия смешения в обеих исследованных системах твердых растворов положительна.