Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Бублик, В. Т. - Исследование концентрационной зависимости периода решетки твердых растворов GaAs-GaP и GaAs-AlAs

Бублик, В. Т. - Исследование концентрационной зависимости периода решетки твердых растворов GaAs-GaP и GaAs-AlAs

Книга (аналит. описание)
Автор: Бублик, В. Т.
Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений: Исследование концентрационной зависимости периода решетки твердых растворов GaAs-GaP и GaAs-AlAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку На полку


Книга (аналит. описание)

Бублик, В. Т.
Исследование концентрационной зависимости периода решетки твердых растворов GaAs-GaP и GaAs-AlAs / В. Т. Бублик, С. С. Горелик, М. Г. Шумский, В. Г. Фомин // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений : Сборник статей / МИСиС, С. С. Горелик, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1974 . – 61-69 .

Получены уточненные концентрационные зависимости периода решетки в системах GaAs-GaP и GaAs-AlAs, необходимые для практического определения состава в пленках этих твердых растворов. Обнаружено положительное отклонение концентрической зависимости периода решетки от правил Вегарда, причем относительный избыточный объем смешения, определенный в работе, оказался большим для системы GaAs-AlAs, чем для системы GaAs-GaP. Сделан вывод в квазихимическом приближении о неидеальности твердых растворов исследуемых систем и о том, что энергия смешения в обеих исследованных системах твердых растворов положительна.






Привязано к:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Доступно
 2 из 2
Книга
МИСиС
Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений: Сборник статей
Металлургия, 1974 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный

полный текст


На полку На полку


© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167