Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Дашевский, М. Я.
Твердые растворы на основе антимонида индия и арсенида галлия в системах In-Sb-Te и Ga-As-Te / М. Я. Дашевский, Л. Н. Колобродов, В. Г. Яковлева, П. А. Пинчук, А. И. Новиков, И. Г. Ефашкин, В. Ф. Протасов, О. А. Стародумова // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений : Сборник статей / МИСиС, С. С. Горелик, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1974 . – 80-96 .

Исследованы монокристаллы твердых растворов на основе антимонида индия и арсенида галлия в системах In-Sb-Te и Ga-As-Te. Исследованы фазовые равновесия в системе In-InSb-InTe и по анализу первичных монокристаллов твердого раствора InSb построена область твердых растворов на основе антимонида индия. Проведено исследование электрических свойств монокристаллов твердых растворов InSb и GaAs. Получены образцы InSb и GaAs с концентрацией электронов 2.0.19 в 19 степени см в -3 степени (300 градусов Кельвина). Проведены электронномикроскопические исследовани монокристаллов InSb и GaAs.