Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Дашевский, М. Я. - Влияние термообработки на электрические свойства антимонида индия, легированного германием
Дашевский, М. Я. - Влияние термообработки на электрические свойства антимонида индия, легированного германием
Книга (аналит. описание)
Автор: Дашевский, М. Я.
Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений: Влияние термообработки на электрические свойства антимонида индия, легированного германием
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Дашевский, М. Я.
Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений: Влияние термообработки на электрические свойства антимонида индия, легированного германием
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Дашевский, М. Я.
Влияние термообработки на электрические свойства антимонида индия, легированного германием / М. Я. Дашевский, Ю. В. Потапов, В. Н. Карасев // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений : Сборник статей / МИСиС, С. С. Горелик, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1974 . – 116-124 .
Подвергнуты термообработке кристаллы нелегированного антимонида индия и легированного германием. Результаты восми- и десятичасовых отжигов свидетельствуют об отсутствии образования термоакцепторов в объеме указанных кристаллов. Увеличение концентрации дырок при термообработке, по-видимому, связано с увеличением концентрации мелких акцепторов. Показано, что при высоких температурах соотношение акцепторной и донорной долей Ge в InSb может изменяться.
Дашевский, М. Я.
Влияние термообработки на электрические свойства антимонида индия, легированного германием / М. Я. Дашевский, Ю. В. Потапов, В. Н. Карасев // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений : Сборник статей / МИСиС, С. С. Горелик, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1974 . – 116-124 .
Подвергнуты термообработке кристаллы нелегированного антимонида индия и легированного германием. Результаты восми- и десятичасовых отжигов свидетельствуют об отсутствии образования термоакцепторов в объеме указанных кристаллов. Увеличение концентрации дырок при термообработке, по-видимому, связано с увеличением концентрации мелких акцепторов. Показано, что при высоких температурах соотношение акцепторной и донорной долей Ge в InSb может изменяться.