Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Дашевский, М. Я. - Влияние термообработки на электрические свойства антимонида индия, легированного германием

Дашевский, М. Я. - Влияние термообработки на электрические свойства антимонида индия, легированного германием

Книга (аналит. описание)
Автор: Дашевский, М. Я.
Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений: Влияние термообработки на электрические свойства антимонида индия, легированного германием
б.г.
ISBN отсутствует

На полку На полку


Книга (аналит. описание)

Дашевский, М. Я.
Влияние термообработки на электрические свойства антимонида индия, легированного германием / М. Я. Дашевский, Ю. В. Потапов, В. Н. Карасев // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений : Сборник статей / МИСиС, С. С. Горелик, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1974 . – 116-124 .

Подвергнуты термообработке кристаллы нелегированного антимонида индия и легированного германием. Результаты восми- и десятичасовых отжигов свидетельствуют об отсутствии образования термоакцепторов в объеме указанных кристаллов. Увеличение концентрации дырок при термообработке, по-видимому, связано с увеличением концентрации мелких акцепторов. Показано, что при высоких температурах соотношение акцепторной и донорной долей Ge в InSb может изменяться.






Привязано к:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Доступно
 2 из 2
Книга
МИСиС
Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений: Сборник статей
Металлургия, 1974 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный

полный текст


На полку На полку


© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167