Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Тагиева, М. М. - Исследование свойств кристаллов KCl, легированных анионными примесями
Тагиева, М. М. - Исследование свойств кристаллов KCl, легированных анионными примесями
Книга (аналит. описание)
Автор: Тагиева, М. М.
Вып.88: Дефекты в оптических монокристаллах: Исследование свойств кристаллов KCl, легированных анионными примесями
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Тагиева, М. М.
Вып.88: Дефекты в оптических монокристаллах: Исследование свойств кристаллов KCl, легированных анионными примесями
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Тагиева, М. М.
Исследование свойств кристаллов KCl, легированных анионными примесями / М. М. Тагиева, М. П. Шаскольская, Е. А. Сорокина // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.88: Дефекты в оптических монокристаллах : Сб.статей / МИСиС, А. А. Блистанов . – М. : Металлургия, 1976 . – 38-51 .
Анионные примеси, имеющие избыточный электрический заряд, образуют в щелочногалоидных кристаллах примесные комплексы, действующие как центры закрепления дислокаций. Примеси серы и гидроксильной группы ОН- влияют на пластичность и электропроводность кристалла KCl. Измерены температурная зависимость электропроводности, концентрационная зависимость предела текучести и спектры поглощения в ИК области.
Тагиева, М. М.
Исследование свойств кристаллов KCl, легированных анионными примесями / М. М. Тагиева, М. П. Шаскольская, Е. А. Сорокина // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.88: Дефекты в оптических монокристаллах : Сб.статей / МИСиС, А. А. Блистанов . – М. : Металлургия, 1976 . – 38-51 .
Анионные примеси, имеющие избыточный электрический заряд, образуют в щелочногалоидных кристаллах примесные комплексы, действующие как центры закрепления дислокаций. Примеси серы и гидроксильной группы ОН- влияют на пластичность и электропроводность кристалла KCl. Измерены температурная зависимость электропроводности, концентрационная зависимость предела текучести и спектры поглощения в ИК области.