Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Шебайдакова, Т. И. - Исследование распределения плотности дислокаций в кристаллах LiNbO3 и NaLa(MoO4)2 методом химичес...
Шебайдакова, Т. И. - Исследование распределения плотности дислокаций в кристаллах LiNbO3 и NaLa(MoO4)2 методом химичес...
Книга (аналит. описание)
Автор: Шебайдакова, Т. И.
Вып.88: Дефекты в оптических монокристаллах: Исследование распределения плотности дислокаций в кристаллах LiNbO3 и NaLa(MoO4)2 методом химичес...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Шебайдакова, Т. И.
Вып.88: Дефекты в оптических монокристаллах: Исследование распределения плотности дислокаций в кристаллах LiNbO3 и NaLa(MoO4)2 методом химичес...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Шебайдакова, Т. И.
Исследование распределения плотности дислокаций в кристаллах LiNbO3 и NaLa(MoO4)2 методом химического травления / Т. И. Шебайдакова, Н. С. Архангельская, В. М. Гармаш, Н. Б. Ангерт // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.88: Дефекты в оптических монокристаллах : Сб.статей / МИСиС, А. А. Блистанов . – М. : Металлургия, 1976 . – 133-136 .
Распределение дислокаций в кристаллах кислородсодержащих диэлектриков метаниобата лития и молибдата лантана-натрия, выращенных по методу Чохральского, определяется числом развивающихся пирамид роста. Распределение дислокаций связано также с кривизной фронта кристаллизации. У кристаллов, выращенных с плоским фронтом, и средняя плотность дислокаций меньше, и дислокации распределены более равномерно. Повышение температуры при термической обработке кристаллов ведет к перераспределению отдельных дислокаций, к образованию и уплотнению дислокационных стенок, но средняя плотность дислокаций уменьшается незначительно.
Шебайдакова, Т. И.
Исследование распределения плотности дислокаций в кристаллах LiNbO3 и NaLa(MoO4)2 методом химического травления / Т. И. Шебайдакова, Н. С. Архангельская, В. М. Гармаш, Н. Б. Ангерт // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.88: Дефекты в оптических монокристаллах : Сб.статей / МИСиС, А. А. Блистанов . – М. : Металлургия, 1976 . – 133-136 .
Распределение дислокаций в кристаллах кислородсодержащих диэлектриков метаниобата лития и молибдата лантана-натрия, выращенных по методу Чохральского, определяется числом развивающихся пирамид роста. Распределение дислокаций связано также с кривизной фронта кристаллизации. У кристаллов, выращенных с плоским фронтом, и средняя плотность дислокаций меньше, и дислокации распределены более равномерно. Повышение температуры при термической обработке кристаллов ведет к перераспределению отдельных дислокаций, к образованию и уплотнению дислокационных стенок, но средняя плотность дислокаций уменьшается незначительно.