Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Дашевский, М. Я. - Поверхностные явления в расплавах алмазоподобных фаз
Дашевский, М. Я. - Поверхностные явления в расплавах алмазоподобных фаз
Книга (аналит. описание)
Автор: Дашевский, М. Я.
Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках: Поверхностные явления в расплавах алмазоподобных фаз
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Дашевский, М. Я.
Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках: Поверхностные явления в расплавах алмазоподобных фаз
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Дашевский, М. Я.
Поверхностные явления в расплавах алмазоподобных фаз / М. Я. Дашевский // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках : Сб.статей / МИСиС, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1976 . – 10-15 .
Рассмотрены поверхностные свойства нелегированных и легированных расплавов алмазоподобных фаз. Показано, что в первом приближении величина поверхностного натяжения (избыточной энергии) в расчете на один атом остается примерно постоянной для расплавов одного класса (подкласса) алмазоподобных фаз (например, для Si и Ge =3,1 эВ/ат). Намечен путь оценки адсорбции на границе сильнолегированный кристалл-расплав на основе учета концентрационной зависимости уровня Ферми в кристалле.
Дашевский, М. Я.
Поверхностные явления в расплавах алмазоподобных фаз / М. Я. Дашевский // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках : Сб.статей / МИСиС, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1976 . – 10-15 .
Рассмотрены поверхностные свойства нелегированных и легированных расплавов алмазоподобных фаз. Показано, что в первом приближении величина поверхностного натяжения (избыточной энергии) в расчете на один атом остается примерно постоянной для расплавов одного класса (подкласса) алмазоподобных фаз (например, для Si и Ge =3,1 эВ/ат). Намечен путь оценки адсорбции на границе сильнолегированный кристалл-расплав на основе учета концентрационной зависимости уровня Ферми в кристалле.