Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ион, М. - Выращивание ZnSiP2 из нестехиометрических расплавов (растворов)
Ион, М. - Выращивание ZnSiP2 из нестехиометрических расплавов (растворов)
Книга (аналит. описание)
Автор: Ион, М.
Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках: Выращивание ZnSiP2 из нестехиометрических расплавов (растворов)
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ион, М.
Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках: Выращивание ZnSiP2 из нестехиометрических расплавов (растворов)
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Ион, М.
Выращивание ZnSiP2 из нестехиометрических расплавов (растворов) / М. Ион, Е. Буриг, К.-П. Бекер, Н. Краус // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках : Сб.статей / МИСиС, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1976 . – 71-74 .
Разработана лабораторная методика получения ZnSiP2 из металлических расплавов (растворов) без использования ориентирующего затравочного кристалла.
Ион, М.
Выращивание ZnSiP2 из нестехиометрических расплавов (растворов) / М. Ион, Е. Буриг, К.-П. Бекер, Н. Краус // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках : Сб.статей / МИСиС, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1976 . – 71-74 .
Разработана лабораторная методика получения ZnSiP2 из металлических расплавов (растворов) без использования ориентирующего затравочного кристалла.
Привязано к:
Доступно
4 из 4
Книга
МИСиС
Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках: Сб.статей
Металлургия, 1976 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
МИСиС
Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках: Сб.статей
Металлургия, 1976 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный