Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Дашевский, М. Я.
Исследование процессов роста кристаллов антимонида индия из расплавов (растворов), легированных теллуром / М. Я. Дашевский, Л. Н. Колобродов // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках : Сб.статей / МИСиС, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1976 . – 86-91 .

Исследовано влияние состава расплава (раствора) в системе In-Sb-Te на характер роста монокристаллов и дендритов твердых растворов на основе антимонида индия. Показано, что при кончентрации Te в расплаве более 0,03% (ат.) рост монокристаллов в направлении <111> затруднен, а дендритов подавлен. Предложена модель роста кристаллов, учитывающая адсорбционные процессы на фронте кристаллизации.