Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ковалев, А. Н. - Исследование аномального изгиба кремниевых матриц с диэлектрической изоляцией компонентов
Ковалев, А. Н. - Исследование аномального изгиба кремниевых матриц с диэлектрической изоляцией компонентов
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/7.gif)
Книга (аналит. описание)
Автор: Ковалев, А. Н.
Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках: Исследование аномального изгиба кремниевых матриц с диэлектрической изоляцией компонентов
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ковалев, А. Н.
Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках: Исследование аномального изгиба кремниевых матриц с диэлектрической изоляцией компонентов
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Ковалев, А. Н.
Исследование аномального изгиба кремниевых матриц с диэлектрической изоляцией компонентов / А. Н. Ковалев, А. И. Куртайкин, В. В. Голанд, К. С. Маршалова // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках : Сб.статей / МИСиС, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1976 . – 130-136 .
Изучена причина изгиба кремниевых матриц с диэлектрической изоляцией компонентов, возникающего в результате термодиффузионных операций изготовления микросхем. По результатам исследований матриц, подвергнутых отжигу при температуре 100-1350 градусов Цельсия в атмосфере кислорода, азота и вакууме, выявлена связь изгиба матриц в производстве микросхем предварительным отжигом при 250 градусах Цельсия и выше в атмосфере кислорода.
Ковалев, А. Н.
Исследование аномального изгиба кремниевых матриц с диэлектрической изоляцией компонентов / А. Н. Ковалев, А. И. Куртайкин, В. В. Голанд, К. С. Маршалова // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках : Сб.статей / МИСиС, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1976 . – 130-136 .
Изучена причина изгиба кремниевых матриц с диэлектрической изоляцией компонентов, возникающего в результате термодиффузионных операций изготовления микросхем. По результатам исследований матриц, подвергнутых отжигу при температуре 100-1350 градусов Цельсия в атмосфере кислорода, азота и вакууме, выявлена связь изгиба матриц в производстве микросхем предварительным отжигом при 250 градусах Цельсия и выше в атмосфере кислорода.