Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Ванюков, А. В.
Механизмы и кинетика процесса образования тонких слоев твердых растворов CdxHg1-xTe при взаимной диффузии компонентов в твердой фазе / А. В. Ванюков, И. И. Кротов // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.106: Соединения АпВvi. Физико-химические основы получения и свойства : Сб.статей / МИСиС . – М. : Металлургия, 1978 . – 34-46 .

Представлены результаты исследования механизма и кинетика процесса эпитаксиального выращивания CdxHg1-xTe в изотермических условиях при использовании в качестве подложки тонкой пленки теллурида кадмия. Показано, что механизм образования твердого раствора CdxHg1-xTe определяется температурными условиями проведения процесса и составом паровой фазы.При обычных условиях рост CdxHg1-xTe протекает в диффузионном режиме и характеризуется образованием эпитаксиальных слоев переменного состава. Уменьшение парциального давления теллура приводит к резкому снижению скорости роста и изменению механизма процесса. При этом определяющим фактором становится скорость химической реакции образования твердого раствора. В результате возможно получение эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe заданного состава и толщины.