Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кротов, И. И. - Физико-химический анализ условий ориентированной кристаллизации CdHg1-xTe из раствора
Кротов, И. И. - Физико-химический анализ условий ориентированной кристаллизации CdHg1-xTe из раствора
Книга (аналит. описание)
Автор: Кротов, И. И.
Вып.106: Соединения АпВvi. Физико-химические основы получения и свойства: Физико-химический анализ условий ориентированной кристаллизации CdHg1-xTe из раствора
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кротов, И. И.
Вып.106: Соединения АпВvi. Физико-химические основы получения и свойства: Физико-химический анализ условий ориентированной кристаллизации CdHg1-xTe из раствора
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Кротов, И. И.
Физико-химический анализ условий ориентированной кристаллизации CdHg1-xTe из раствора / И. И. Кротов, А. И. Ермаков // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.106: Соединения АпВvi. Физико-химические основы получения и свойства : Сб.статей / МИСиС . – М. : Металлургия, 1978 . – 53-61 .
Дан физико-химический анализ условий эпитаксиального роста твердых растворов CdxHg1-xTe из ртутного раствора при кристаллизации в градиенте температур и путем охлаждения жидкой фазы. Рассчитаны кривые кристаллизации для обоих рассматриваемых случаев. ПОказано, что ориентированный рост CdxHg1-xTe в градиенте температур в области 300-500 градусов Цельсия характеризуется диффузионным режимом. Исследование процесса кристаллизации при охлаждении раствора установило, что возможности этого метода применительно к данной системе в области низких температур весьма ограничены.
Кротов, И. И.
Физико-химический анализ условий ориентированной кристаллизации CdHg1-xTe из раствора / И. И. Кротов, А. И. Ермаков // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.106: Соединения АпВvi. Физико-химические основы получения и свойства : Сб.статей / МИСиС . – М. : Металлургия, 1978 . – 53-61 .
Дан физико-химический анализ условий эпитаксиального роста твердых растворов CdxHg1-xTe из ртутного раствора при кристаллизации в градиенте температур и путем охлаждения жидкой фазы. Рассчитаны кривые кристаллизации для обоих рассматриваемых случаев. ПОказано, что ориентированный рост CdxHg1-xTe в градиенте температур в области 300-500 градусов Цельсия характеризуется диффузионным режимом. Исследование процесса кристаллизации при охлаждении раствора установило, что возможности этого метода применительно к данной системе в области низких температур весьма ограничены.