Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Ванюков, А. В.
Исследование условий понижения концентрации собственных точечных дефектов в CdTe / А. В. Ванюков, Ю. М. Иванов, Н. Г. Седельников // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.106: Соединения АпВvi. Физико-химические основы получения и свойства : Сб.статей / МИСиС . – М. : Металлургия, 1978 . – 68-72 .

Исследована зависимость от температуры кристаллизации электрических свойств кристаллов теллурида кадмия, выращенных из теллурового раствора-расплава. Выращенные кристаллы имели дырочную проводимость. Установлено понижение концентрации дырок от 5*10 в 16 до 1*10 в 13 см-3 при снижении температуры кристаллизации от 900 до 640 градусов Цельсия. Полученные данные качественно согласуются с результатами исследования области гомогенности теллурида кадмия.