Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Иванов, Ю. М.
Анализ условий роста CdTe из теллурового раствора-расплава и субструктуры полученных монокристаллов / Ю. М. Иванов, Н. Г. Седельников, Г. В. Инденбаум, Н. М. Бойных, З. А. Еремина // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.106: Соединения АпВvi. Физико-химические основы получения и свойства : Сб.статей / МИСиС . – М. : Металлургия, 1978 . – 72-80 .

Проведен расчет условий выращивания кристаллов CdTe из теллуровых растворов: температурной зависимости критерия возникновения области концентрационного переохлаждения и предельной скорости кристаллизации в интервале 700-1000 градусов Цельсия. В исследованном диапазоне температур проведено выращивание кристаллов методом перемещающегося нагревателя. Установлена зависимость электрофизических свойтсв и совершенства кристаллов от температуры процесса. При уменьшении температуры кристаллизации нелегированного CdTe от 860 до 640 градусов Цельсия концентрация основных носителей падает, а удельное сопротивление повышается на три порядка. Показано, что основными причинами появления границ блоков в кристаллах CdTe, выращенных без концентрационного переохлаждения, являются механические и термические напряжения в слитках.