Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Ермаков, А. И.
Область гомогенности твердых растворов CdxHg1-xTe по данным электрофизических измерений / А. И. Ермаков, А. С. Томсон // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.146: Структура и свойства соединений А2В6 : Сб.статей / МИСиС, А. В. Ванюков . – М. : Металлургия, 1983 . – 47-50 .

Представлены результаты термоообпаботки эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe, выращенных из ртутного раствора на подложках из монокристаллического теллурида кадмия при температурах <= 673 К. Установлена корреляция между электрофизическими параметрами, положением состава твердого раствора внутри области гомогенности и положением 'собственной' линии (n-p). Показано, что 'собственная' линия пересекает ртутную границу области гомогенности при температуре около 430 К. Изучены электрофизические свойства эпитаксиальных слоев после термообработки при давлении пара ртути в ампуле, соответствующим теллуровой границе области гомогенности. Установлено, что в интервале температур 423-573 К на теллуровом краю области гомогенности твердые растворы (Cd, Hg)Te имеют p-тип проводимости с концентрацией носителей тока 10 в 17 - 10 в 18 см в -3 и подвижностью 100-200 см во 2/( В*с).