Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Баранова, Н. В. - Диффузия и структура дефектов в HgTe и (Cd,Hg)Te
Баранова, Н. В. - Диффузия и структура дефектов в HgTe и (Cd,Hg)Te
Книга (аналит. описание)
Автор: Баранова, Н. В.
Вып.146: Структура и свойства соединений А2В6: Диффузия и структура дефектов в HgTe и (Cd,Hg)Te
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Баранова, Н. В.
Вып.146: Структура и свойства соединений А2В6: Диффузия и структура дефектов в HgTe и (Cd,Hg)Te
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Баранова, Н. В.
Диффузия и структура дефектов в HgTe и (Cd,Hg)Te / Н. В. Баранова, А. С. Томсон, А. З. Захарчук // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.146: Структура и свойства соединений А2В6 : Сб.статей / МИСиС, А. В. Ванюков . – М. : Металлургия, 1983 . – 80-85 .
особенностью теллурида ртути и твердых растворов на их основе является то, что стехиометрический состав лежит за пределами области гомогенности. Это определяет структуру точечных дефектов. Обсуждаются экспериментальные данные, которые вместе с теоретическими расчетами позволяют выбрать модель точечного разупорядочения в рамках выдвинутых теоретических предпосылок. Акцепторные дефекты имеют сложную структуру комплексов, включающих обе подрешетки. Они проявляют электрическую активность как двойные вакансии при высоких температурах (>= 670 K), и как одиночные - при низких.
Баранова, Н. В.
Диффузия и структура дефектов в HgTe и (Cd,Hg)Te / Н. В. Баранова, А. С. Томсон, А. З. Захарчук // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.146: Структура и свойства соединений А2В6 : Сб.статей / МИСиС, А. В. Ванюков . – М. : Металлургия, 1983 . – 80-85 .
особенностью теллурида ртути и твердых растворов на их основе является то, что стехиометрический состав лежит за пределами области гомогенности. Это определяет структуру точечных дефектов. Обсуждаются экспериментальные данные, которые вместе с теоретическими расчетами позволяют выбрать модель точечного разупорядочения в рамках выдвинутых теоретических предпосылок. Акцепторные дефекты имеют сложную структуру комплексов, включающих обе подрешетки. Они проявляют электрическую активность как двойные вакансии при высоких температурах (>= 670 K), и как одиночные - при низких.