Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кольцов, Г. И. - Моделирование процесса диффузии Be, имплантированного в соединения GaAs и InP / Физические свойст...
Кольцов, Г. И. - Моделирование процесса диффузии Be, имплантированного в соединения GaAs и InP / Физические свойст...
Статья
Автор: Кольцов, Г. И.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Моделирование процесса диффузии Be, имплантированного в соединения GaAs и InP / Физические свойст...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кольцов, Г. И.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Моделирование процесса диффузии Be, имплантированного в соединения GaAs и InP / Физические свойст...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кольцов, Г. И.
Моделирование процесса диффузии Be, имплантированного в соединения GaAs и InP / Физические свойства и методы исследования / Г. И. Кольцов, С. Ю. Юрчук, С. И. Диденко // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 1999 . – N 3 . – 63-65 .
Кольцов, Г. И.
Моделирование процесса диффузии Be, имплантированного в соединения GaAs и InP / Физические свойства и методы исследования / Г. И. Кольцов, С. Ю. Юрчук, С. И. Диденко // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 1999 . – N 3 . – 63-65 .
Привязано к:
Нет экз.