Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Моргунов, И. В. - Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния Р-типа проводимости д...
Моргунов, И. В. - Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния Р-типа проводимости д...
Доступно
1 из 1
1 из 1
Диссертация
Автор: Моргунов, И. В.
Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния Р-типа проводимости д... : дис... к.т.н., спец. 05.27.06
Издательство: [МИСиС], 1995 г.
ISBN отсутствует
Автор: Моргунов, И. В.
Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния Р-типа проводимости д... : дис... к.т.н., спец. 05.27.06
Издательство: [МИСиС], 1995 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Диссертация
М-742д
Моргунов, И. В.
Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния Р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксии : дис... к.т.н., спец. 05.27.06 / И. В. Моргунов ; науч. рук. Л. В. Кожитов . – М. : [МИСиС], 1995 . – 197 с. : ил. + Библиогр.: с. 189-197.
621.382.33:621.315.5
Общий = Материаловедение : полупроводники
642262 19:Фонд дис.МИСиС
М-742д
Моргунов, И. В.
Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния Р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксии : дис... к.т.н., спец. 05.27.06 / И. В. Моргунов ; науч. рук. Л. В. Кожитов . – М. : [МИСиС], 1995 . – 197 с. : ил. + Библиогр.: с. 189-197.
621.382.33:621.315.5
Общий = Материаловедение : полупроводники
642262 19:Фонд дис.МИСиС