Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Журавлев, К. С. - Температурная зависимость рекомбинации через уровни комплексов в сильно легированном эпитаксиальн...
Журавлев, К. С. - Температурная зависимость рекомбинации через уровни комплексов в сильно легированном эпитаксиальн...
Статья
Автор: Журавлев, К. С.
Физика и техника полупроводников: Температурная зависимость рекомбинации через уровни комплексов в сильно легированном эпитаксиальн...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Журавлев, К. С.
Физика и техника полупроводников: Температурная зависимость рекомбинации через уровни комплексов в сильно легированном эпитаксиальн...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Журавлев, К. С.
Температурная зависимость рекомбинации через уровни комплексов в сильно легированном эпитаксиальном p-GaAs : Ge / К. С. Журавлев, А. С. Терехов, Т. С. Шамирзаев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 10 . – с. 1811-1814 .
Журавлев, К. С.
Температурная зависимость рекомбинации через уровни комплексов в сильно легированном эпитаксиальном p-GaAs : Ge / К. С. Журавлев, А. С. Терехов, Т. С. Шамирзаев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 10 . – с. 1811-1814 .
Привязано к:
Доступно
2 из 2
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 10
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 10
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный