Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Нгуен, Х. В. - Разработка основ технологии синтеза нанокомпозита Ag/полиакрилонитрил при ИК-нагреве
Нгуен, Х. В. - Разработка основ технологии синтеза нанокомпозита Ag/полиакрилонитрил при ИК-нагреве
Доступно
1 из 1
1 из 1
Диссертация
Автор: Нгуен, Х. В.
Разработка основ технологии синтеза нанокомпозита Ag/полиакрилонитрил при ИК-нагреве : дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники"
Издательство: [МИСиС], 2015 г.
ISBN отсутствует
Автор: Нгуен, Х. В.
Разработка основ технологии синтеза нанокомпозита Ag/полиакрилонитрил при ИК-нагреве : дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники"
Издательство: [МИСиС], 2015 г.
ISBN отсутствует
Диссертация
Н-379д
Нгуен, Х. В.
Разработка основ технологии синтеза нанокомпозита Ag/полиакрилонитрил при ИК-нагреве : дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" / Х. В. Нгуен ; науч. рук. В. В. Козлов . – М. : [МИСиС], 2015 . – 129с. : рис. + Библиогр.: с. 119-129 .
620.22-022.532:621.382(043.3)
Общий = Материаловедение
Общий = Материаловедение : наноматериалы : нанотехнология
Общий = Материаловедение : композиционные материалы
Общий = Электротехника : электроника : полупроводниковая электроника
541272 19:Фонд дис.МИСиС
Н-379д
Нгуен, Х. В.
Разработка основ технологии синтеза нанокомпозита Ag/полиакрилонитрил при ИК-нагреве : дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" / Х. В. Нгуен ; науч. рук. В. В. Козлов . – М. : [МИСиС], 2015 . – 129с. : рис. + Библиогр.: с. 119-129 .
620.22-022.532:621.382(043.3)
Общий = Материаловедение
Общий = Материаловедение : наноматериалы : нанотехнология
Общий = Материаловедение : композиционные материалы
Общий = Электротехника : электроника : полупроводниковая электроника
541272 19:Фонд дис.МИСиС