Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Султанов, А. О. - Закономерности роста эпитаксиальных пленок β-SiC на кремнии с нанопористым буферным слоем и иссле...
Султанов, А. О. - Закономерности роста эпитаксиальных пленок β-SiC на кремнии с нанопористым буферным слоем и иссле...
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/44.gif)
Доступно
1 из 1
1 из 1
Диссертация
Автор: Султанов, А. О.
Закономерности роста эпитаксиальных пленок β-SiC на кремнии с нанопористым буферным слоем и иссле... : дис... к.физ.-мат.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников"
2019 г.
ISBN отсутствует
Автор: Султанов, А. О.
Закономерности роста эпитаксиальных пленок β-SiC на кремнии с нанопористым буферным слоем и иссле... : дис... к.физ.-мат.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников"
2019 г.
ISBN отсутствует
Диссертация
С-896д
Султанов, А. О.
Закономерности роста эпитаксиальных пленок β-SiC на кремнии с нанопористым буферным слоем и исследование их физических свойств : дис... к.физ.-мат.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников" / А.О. Султанов; науч. рук. Г.К. Сафаралиев; науч. конс. А.С. Гусев ; НИЯУ МИФИ . – М., 2019 . – 127с. : рис. + Библиогр.: с. 113-127 .
621.382.049.772(043.3)
Общий = Физика : твердое тело : тонкие пленки
Общий = Физика : полупроводники
560686 20:Фонд дис.др.орг.
С-896д
Султанов, А. О.
Закономерности роста эпитаксиальных пленок β-SiC на кремнии с нанопористым буферным слоем и исследование их физических свойств : дис... к.физ.-мат.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников" / А.О. Султанов; науч. рук. Г.К. Сафаралиев; науч. конс. А.С. Гусев ; НИЯУ МИФИ . – М., 2019 . – 127с. : рис. + Библиогр.: с. 113-127 .
621.382.049.772(043.3)
Общий = Физика : твердое тело : тонкие пленки
Общий = Физика : полупроводники
560686 20:Фонд дис.др.орг.