Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Косушкин, В. Г. - Моделирование роста кристаллов полупроводников в условиях уменьшенной термогравитационной конвенции
Косушкин, В. Г. - Моделирование роста кристаллов полупроводников в условиях уменьшенной термогравитационной конвенции

Книга (аналит. описание)
Автор: Косушкин, В. Г.
Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов: Моделирование роста кристаллов полупроводников в условиях уменьшенной термогравитационной конвенции
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Косушкин, В. Г.
Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов: Моделирование роста кристаллов полупроводников в условиях уменьшенной термогравитационной конвенции
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Косушкин, В. Г.
Моделирование роста кристаллов полупроводников в условиях уменьшенной термогравитационной конвенции / В. Г. Косушкин, С. Л. Кожитов // Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов : труды Междунар. молодежой конф. в рамках Фестиваля науки (г. Астрахань, 2-3 окт. 2012г.) / М-во образования и науки РФ, Астрахан. гос. ун-т . – Астрахань : ИД Астраханский ун-т, 2012 . – С. 266-276 .
Косушкин, В. Г.
Моделирование роста кристаллов полупроводников в условиях уменьшенной термогравитационной конвенции / В. Г. Косушкин, С. Л. Кожитов // Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов : труды Междунар. молодежой конф. в рамках Фестиваля науки (г. Астрахань, 2-3 окт. 2012г.) / М-во образования и науки РФ, Астрахан. гос. ун-т . – Астрахань : ИД Астраханский ун-т, 2012 . – С. 266-276 .