Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Specialities
Печать
Профиль подготовки (специализация): ММТМ-3-3
| № 1 | Профиль подготовки: ММТМ-3-3 (форма обучения: Магистр, направление подготовки: 22.04.01 Материаловедение и технологии материалов) | |||||||||||||
| № | Дисциплина | Кафедра | Цикл | Студ. осен. | Студ. весн. | Курс | Сем. | |||||||
| 1 | Материаловедение и технологии перспективных материалов | Кафедра Материаловедения полупроводников и диэлектриков | Б1 Дисциплины (модули) : Базовая часть | 0 | 0 | 5 | 9 | |||||||
| № | Учебная литература | Гриф | Год | Экз. | Осенний сем. | Весенний сем. | ∑ КО | |||||||
| Дисц. | Студ. | КО | Дисц. | Студ. | КО | |||||||||
| 1 | Выполнение и оформление выпускных квалификационных работ, научно-исследовательских работ, курсовых работ магистров и отчетов по практикам : метод. указания / ; М. Б. Быкова, Ж. А. Гореева, Н. С. Козлова, Д. А. Подгорный; МИСиС, Ин-т новых материалов и нанотехнологий, Каф. материаловедения полупроводников и диэлектриков. — М. : [МИСиС], 2017. — 76с. + Библиогр.: с. 57-58. — Режим доступа : http://elibrary.misis.ru/plugins/libermedia/LMGetDocumentById.php?id=987735387. — Пособие МИСиС. | 2: УМО и НМС | 2017 | 10 | 1 | 0 | --- | 1 | 0 | --- | --- | |||
| Итого по дисциплине : Материаловедение и технологии перспективных материалов | 10 | --- | --- | --- | ||||||||||
| № | Дисциплина | Кафедра | Цикл | Студ. осен. | Студ. весн. | Курс | Сем. | |||||||
| 2 | Выращивание кристаллов | Кафедра Материаловедения полупроводников и диэлектриков | Б1 Дисциплины (модули) : Вариативная часть | 0 | 0 | 5 | 9 | |||||||
| № | Учебная литература | Гриф | Год | Экз. | Осенний сем. | Весенний сем. | ∑ КО | |||||||
| Дисц. | Студ. | КО | Дисц. | Студ. | КО | |||||||||
| 1 | Выращивание кристаллов. Выращивание кристаллических пленок методом магнетронного напыления : лаб. практикум / ; Ю. Н. Пархоменко, В. В. Антипов, Р. А. Жуков, др.; М-во образования и науки РФ, НИТУ МИСиС, Ин-т новых материалов и нанотехнологий, Каф. материаловедения полупроводников и диэлектриков. — М. : [МИСиС], 2017. — 54с. : рис., табл. + Библиогр.: с. 51. - Прил.: с. 52-53. — Режим доступа : http://elibrary.misis.ru/plugins/libermedia/LMGetDocumentById.php?id=987738622. — Пособие МИСиС. | 2: УМО и НМС | 2017 | 5 | 1 | 0 | --- | 0 | 0 | --- | --- | |||
| Итого по дисциплине : Выращивание кристаллов | 5 | --- | --- | --- | ||||||||||
| № | Дисциплина | Кафедра | Цикл | Студ. осен. | Студ. весн. | Курс | Сем. | |||||||
| 3 | Основы предпринимательской деятельности | Кафедра Материаловедения полупроводников и диэлектриков | Б1 Дисциплины (модули) : Вариативная часть | 0 | 6 | 5 | 9 | |||||||
| № | Учебная литература | Гриф | Год | Экз. | Осенний сем. | Весенний сем. | ∑ КО | |||||||
| Дисц. | Студ. | КО | Дисц. | Студ. | КО | |||||||||
| 1 | Костюхин, Ю. Ю. Основы производственного менеджмента : курс лекций: учеб. пособие для студ. вузов, обуч. по напр. 'Металлургия' / Ю. Ю. Костюхин, О. О. Скрябин ; МИСиС, Каф. промышленного менеджмента. — М. : Изд-во МИСиС, 2014. — 265с. : рис. + Библиогр.: с. 255. — Режим доступа : http://elibrary.misis.ru/plugins/libermedia/LMGetDocumentById.php?id=987687256. — Пособие МИСиС. — ISBN 978-5-87623-833-7. | 2: УМО и НМС | 2014 | 24 | 2 | 426 | 1.00 | 1 | 6 | 1.00 | 1.00 | |||
| Итого по дисциплине : Основы предпринимательской деятельности | 24 | --- | 1.00 | 1.00 | ||||||||||
| № | Дисциплина | Кафедра | Цикл | Студ. осен. | Студ. весн. | Курс | Сем. | |||||||
| 4 | Тензорные методы в кристаллофизике | Кафедра Материаловедения полупроводников и диэлектриков | Б1 Дисциплины (модули) : Вариативная часть | 0 | 0 | 5 | 9 | |||||||
| № | Учебная литература | Гриф | Год | Экз. | Осенний сем. | Весенний сем. | ∑ КО | |||||||
| Дисц. | Студ. | КО | Дисц. | Студ. | КО | |||||||||
| 1 | Забелин, А. Н. Тензорные методы в кристаллофизике. Основы тензорного и симметрийного описания физических свойств кристаллов (N 4720) : учебное пособие / А. Н. Забелин ; НИТУ МИСиС, Ин- т новых материалов и нанотехнологий, Каф. материаловедения полупроводников и диэлектриков. — М. : [МИСиС], 2022. — 114с. : рис. + Библиогр.: с. 106. - Прил.: с. 107-114. — Режим доступа : http://elibrary.misis.ru/plugins/libermedia/LMGetDocumentById.php?id=987767039. — Пособие МИСиС. — ISBN 978-5-907560-43-7. | 2: УМО и НМС | 2022 | 0 | 1 | 0 | --- | 0 | 0 | --- | --- | |||
| Итого по дисциплине : Тензорные методы в кристаллофизике | 0 | --- | --- | --- | ||||||||||
| № | Дисциплина | Кафедра | Цикл | Студ. осен. | Студ. весн. | Курс | Сем. | |||||||
| 5 | Физика реального кристалла | Кафедра Материаловедения полупроводников и диэлектриков | Б1 Дисциплины (модули) : Вариативная часть | 0 | 0 | 5 | 9 | |||||||
| № | Учебная литература | Гриф | Год | Экз. | Осенний сем. | Весенний сем. | ∑ КО | |||||||
| Дисц. | Студ. | КО | Дисц. | Студ. | КО | |||||||||
| 1 | Физика реального кристалла : лаб. практикум / ; И. С. Диденко, Н. С. Козлова, О. М. Кугаенко, В. С. Петраков; МИСиС, Каф. материаловедения полупроводников и диэлектриков. — М. : Изд-во МИСиС, 2013. — 75с. : рис. + Библиогр. в конце лаб. работ. — Режим доступа : http://elibrary.misis.ru/plugins/libermedia/LMGetDocumentById.php?id=543391. — Пособие МИСиС. — ISBN 978-5-87623-747-7. | 2: УМО и НМС | 2013 | 10 | 1 | 0 | --- | 0 | 0 | --- | --- | |||
| Итого по дисциплине : Физика реального кристалла | 10 | --- | --- | --- | ||||||||||
| Итого по профилю подготовки : ММТМ-3-3 | 49 | --- | 1.00 | 1.00 | ||||||||||