Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Чалдышев, В. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

1 | 2 | вперед >>

Статья
Мильвидский, М. Г.
Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках - новый подход к формированию свойств материалов...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Берт, Н. А.
Структура слоев индия в низкотемпературном арсениде галлия и ее изменение при отжиге в интервале ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Чалдышев, В. В.
Влияние изовалентного легирования индием на избыток мышьяка в арсениде галлия, выращиваемом метод...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гриняев, С. Н.
Локализованные состояния вблизи запрещенной зоны GaAs, обусловленные тетраэдрическими мышьяковыми...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Чалдышев, В. В.
Сверхрешетка кластеров мышьяка в арсениде галлия, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при н...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Брунков, П. Н.
Аккумуляция электронов в слоях GaAs, выращенных при низкой температуре и содержащей кластеры мышь...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вилисова, М. Д.
Структуры и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой те...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Фалеев, Н. Н.
Высокоразрешающие рентгенодифракционные исследования сверхрешеток InAs-GaAs, выращенных молекуляр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Куницын, А. Е.
Свойства легированных теллуром монокристаллов антимонида галлия, выращенных из нестехиометрическо...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Дымова, Н. Н.
Совместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную и легированную индием подложки GaAs / А...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Куницын, А. Е.
Влияние легирования индием на формирование комплексов кремни-вакансия галлия в арсениде галлия, в...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гриняев, С. Н.
Глубокие уровни кластеров из атомов галлия в GaAs / Низкоразмерные системы
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вилисова, М. Д.
Легирование слоев GaAs кремнием в условиях низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии / Ато...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Берт, Н. А.
Упругое поведение сферического включения с заданной одноосной дилатацией / Дефекты. Дислокации. Ф...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Брунков, П. Н.
Аккумуляция основных носителей заряда в слоях GaAs, содержащих наноразмерные кластеры мышьяка / Н...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Берт, Н. А.
Люминесцентные и структурные исследования монокристаллов GaSb, выращенных из нестехиометрических ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Куницын, А. Е.
Анализ спектров фотолюминесценции слоев GaAs, выращенных из Ga-Bi растворов-расплавов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Берт, Н. А.
Пространственное упорядочение кластеров мышьяка в слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-луче...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Чалдышев, В. В.
Фотолюминесценция легированного оловом GaAs, выращенного жидкофазной эпитаксией из смешанного Ga-...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Акчурин, Р. Х.
Электрические и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaSb<Bi> и GaSb<Bi,Sn>, полученн...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Пышная, Н. Б.
Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе жидкофазной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бер, Б. Я.
О возможности получения изопериодических с подложкой InP слоев In0.52Al0.48As методом жидкофазной...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гермогенов, В. П.
Подавление 'природных' акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Берт, Н. А.
Изменение картины муара на электронно-микроскопических изображениях As-кластеров в LT-GaAs при ум...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гриняев, С. Н.
Расчет электронного энергетического спектра арсенида галлия с мышьяковыми кластерами
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Быковский, В. А.
Особенности поведения изовалентной примеси - индия при легировании арсенида галлия в процессе газ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Акимченко, И. П.
Полоса фотолюминесценции 1.44 эВ в GaAs, имплантированном азотом и кремнием
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лубышев, Д. И.
О механизме воздействия изовалентной примеси In на свойства и ансамбль дефектов GaAs, выращиваемо...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Астрова, Е. В.
Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выраще...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Абрамов, В. С.
Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически активной и изовалентной прим...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку