Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 3 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 3 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Чикун, В. В.
Высота барьера Шоттки с тонким сильно легированным слоем полупроводника
б.г.
ISBN отсутствует
Чикун, В. В.
Высота барьера Шоттки с тонким сильно легированным слоем полупроводника
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, А. М.
К вопросу об образовании дефектов структуры при торможении быстрых ионов в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, А. М.
К вопросу об образовании дефектов структуры при торможении быстрых ионов в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дроздова, И. А.
Механизм образования проводящих каналов в кристаллах CdS под действием электрического поля
б.г.
ISBN отсутствует
Дроздова, И. А.
Механизм образования проводящих каналов в кристаллах CdS под действием электрического поля
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ильящук, Ю. М.
Релаксация заряда в кремнии на границах зерен, обогащенных кислородом и углеродом
б.г.
ISBN отсутствует
Ильящук, Ю. М.
Релаксация заряда в кремнии на границах зерен, обогащенных кислородом и углеродом
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Пахомов, А. А.
Многофононный захват носителей на глубокие центры в квантовых ямах
б.г.
ISBN отсутствует
Пахомов, А. А.
Многофононный захват носителей на глубокие центры в квантовых ямах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кучеренко, С. С.
Раздельный транспорт электронов и дырок через системы нелегированных квантовых ям
б.г.
ISBN отсутствует
Кучеренко, С. С.
Раздельный транспорт электронов и дырок через системы нелегированных квантовых ям
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Куликов, Г. С.
Влияние марганца на диффузионное распределение никеля в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Куликов, Г. С.
Влияние марганца на диффузионное распределение никеля в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Пожела, Ю.
Рассеяние электронов на оптических фононах в двумерных квантовых ямах с независимым захватом элек...
б.г.
ISBN отсутствует
Пожела, Ю.
Рассеяние электронов на оптических фононах в двумерных квантовых ямах с независимым захватом элек...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Юрьев, В. А.
Визуализация крупномасштабных скоплений электрически активных дефектов в монокристаллах фосфида и...
б.г.
ISBN отсутствует
Юрьев, В. А.
Визуализация крупномасштабных скоплений электрически активных дефектов в монокристаллах фосфида и...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Жебулев, И. А.
Особенности фотоэффекта в резких изотипных N+ - n0 - n4-гетероструктурах
б.г.
ISBN отсутствует
Жебулев, И. А.
Особенности фотоэффекта в резких изотипных N+ - n0 - n4-гетероструктурах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Рудь, В. Ю.
Обнаружение фоточувствительности гетероконтактов полупроводник-зеленые листья
б.г.
ISBN отсутствует
Рудь, В. Ю.
Обнаружение фоточувствительности гетероконтактов полупроводник-зеленые листья
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Альварес, Х.
Зависимость параметров центров, образующих глубокие уровни во фториде кальция, выращенном на крем...
б.г.
ISBN отсутствует
Альварес, Х.
Зависимость параметров центров, образующих глубокие уровни во фториде кальция, выращенном на крем...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Морозова, В. А.
Определение параметров зонной структуры GaAs2 методами оптического пропускания и фотопроводимости
б.г.
ISBN отсутствует
Морозова, В. А.
Определение параметров зонной структуры GaAs2 методами оптического пропускания и фотопроводимости
б.г.
ISBN отсутствует