Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 (ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ на платформе elibrary необходимо подключиться через OpenVPN в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 5 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 (ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ на платформе elibrary необходимо подключиться через OpenVPN в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 5 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Гарнык, В. С.
Влияние знака упругой деформации монокристаллов кремния на результаты радиационного воздействия
б.г.
ISBN отсутствует
Гарнык, В. С.
Влияние знака упругой деформации монокристаллов кремния на результаты радиационного воздействия
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Крещук, А. М.
'Гашение' замороженной фотопроводимости электрическими импульсами
б.г.
ISBN отсутствует
Крещук, А. М.
'Гашение' замороженной фотопроводимости электрическими импульсами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Брунков, П. Н.
Емкостная спектроскопия электронных уровней в квантовых точках InAs в матрице GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Брунков, П. Н.
Емкостная спектроскопия электронных уровней в квантовых точках InAs в матрице GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Алешин, В. Д.
Влияние лантаноидов на дефектно-примесный состав эпитаксиальных слоев GaP
б.г.
ISBN отсутствует
Алешин, В. Д.
Влияние лантаноидов на дефектно-примесный состав эпитаксиальных слоев GaP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Александров, О. В.
Образование донорных центров при отжиге кремния, имплантированного эрбием
б.г.
ISBN отсутствует
Александров, О. В.
Образование донорных центров при отжиге кремния, имплантированного эрбием
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Давыдов, С. Ю.
Упругие постоянные и фононные частоты широкозонных полупроводников
б.г.
ISBN отсутствует
Давыдов, С. Ю.
Упругие постоянные и фононные частоты широкозонных полупроводников
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кардо-Сысоев, А. Ф.
Моделирование быстрых ионизационных волн при пробое в кремниевых p-n-переходах
б.г.
ISBN отсутствует
Кардо-Сысоев, А. Ф.
Моделирование быстрых ионизационных волн при пробое в кремниевых p-n-переходах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Борблик, В. Л.
Концентрационные решетки в электронно-дырочной плазме, дрейфующей в переменном электрическом поле
б.г.
ISBN отсутствует
Борблик, В. Л.
Концентрационные решетки в электронно-дырочной плазме, дрейфующей в переменном электрическом поле
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Шаховцова, С. И.
Низкотемпературный пробой донорных состояний примеси сурьмы в сплавах Ge(1-x)Six
б.г.
ISBN отсутствует
Шаховцова, С. И.
Низкотемпературный пробой донорных состояний примеси сурьмы в сплавах Ge(1-x)Six
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бабич, В. М.
Образование термодоноров при одно- и двухступенчатых отжигах в кристаллах кремния с большой и мал...
б.г.
ISBN отсутствует
Бабич, В. М.
Образование термодоноров при одно- и двухступенчатых отжигах в кристаллах кремния с большой и мал...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гулямов, Г.
Влияние геометрии образцов на вольт-амперную характеристику p-n-перехода в сильном СВЧ поле
б.г.
ISBN отсутствует
Гулямов, Г.
Влияние геометрии образцов на вольт-амперную характеристику p-n-перехода в сильном СВЧ поле
б.г.
ISBN отсутствует