Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Андреев, А. Н. - Структурное совершенство эпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных методом атомной сублимации на по...
Андреев, А. Н. - Структурное совершенство эпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных методом атомной сублимации на по...
Статья
Автор: Андреев, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Структурное совершенство эпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных методом атомной сублимации на по...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Андреев, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Структурное совершенство эпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных методом атомной сублимации на по...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Андреев, А. Н.
Структурное совершенство эпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных методом атомной сублимации на подложках 6H-SiC / А. Н. Андреев, Н. Ю. Смирнова, А. С. Трегубова, М. П. Щеглов, В. Е. Челноков // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 3 . – 285-291 .
Андреев, А. Н.
Структурное совершенство эпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных методом атомной сублимации на подложках 6H-SiC / А. Н. Андреев, Н. Ю. Смирнова, А. С. Трегубова, М. П. Щеглов, В. Е. Челноков // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 3 . – 285-291 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 3
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 3
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный