Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Баженов, Н. Л. - Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах ...
Баженов, Н. Л. - Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах ...
Статья
Автор: Баженов, Н. Л.
Физика и техника полупроводников: Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Баженов, Н. Л.
Физика и техника полупроводников: Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Баженов, Н. Л.
Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Н. Л. Баженов, Г. Г. Зегря, В. И. Иванов-Омский, М. П. Михайлова, М. Ю. Михайлов, К. Д. Моисеев, В. А. Смирнов, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 10 . – 1216-1220 .
Баженов, Н. Л.
Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Н. Л. Баженов, Г. Г. Зегря, В. И. Иванов-Омский, М. П. Михайлова, М. Ю. Михайлов, К. Д. Моисеев, В. А. Смирнов, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 10 . – 1216-1220 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 10
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 10
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный