Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Вуль, А. Я. - Полевой транзистор с p-n-переходом в качестве затвора на основе твердых растворов GaAs(1-x-y)SbxPy
Вуль, А. Я. - Полевой транзистор с p-n-переходом в качестве затвора на основе твердых растворов GaAs(1-x-y)SbxPy
Статья
Автор: Вуль, А. Я.
Физика и техника полупроводников: Полевой транзистор с p-n-переходом в качестве затвора на основе твердых растворов GaAs(1-x-y)SbxPy
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Вуль, А. Я.
Физика и техника полупроводников: Полевой транзистор с p-n-переходом в качестве затвора на основе твердых растворов GaAs(1-x-y)SbxPy
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Вуль, А. Я.
Полевой транзистор с p-n-переходом в качестве затвора на основе твердых растворов GaAs(1-x-y)SbxPy / А. Я. Вуль, С. П. Вуль, И. И. Саидашев, П. Г. Петросян // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 10 . – с. 1718-1720 .
Вуль, А. Я.
Полевой транзистор с p-n-переходом в качестве затвора на основе твердых растворов GaAs(1-x-y)SbxPy / А. Я. Вуль, С. П. Вуль, И. И. Саидашев, П. Г. Петросян // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 10 . – с. 1718-1720 .