Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Шмагин, В. Б. - Электрически активные центры в светоизлучающих слоях Si:Er, полученных методом сублимационной мол...
Шмагин, В. Б. - Электрически активные центры в светоизлучающих слоях Si:Er, полученных методом сублимационной мол...
Статья
Автор: Шмагин, В. Б.
Физика и техника полупроводников: Электрически активные центры в светоизлучающих слоях Si:Er, полученных методом сублимационной мол...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Шмагин, В. Б.
Физика и техника полупроводников: Электрически активные центры в светоизлучающих слоях Si:Er, полученных методом сублимационной мол...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Шмагин, В. Б.
Электрически активные центры в светоизлучающих слоях Si:Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии / Электронные и оптические свойства полупроводников / В. Б. Шмагин, Б. А. Андреев, А. В. Антонов, З. Ф. Красильник, В. П. Кузнецов, О. А. Кузнецов, Е. А. Ускова, C. A.J. Ammerlaan, G. Pensl // Физика и техника полупроводников . – 2002 . – Т. 36, N 2 . – 178-182 .
Шмагин, В. Б.
Электрически активные центры в светоизлучающих слоях Si:Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии / Электронные и оптические свойства полупроводников / В. Б. Шмагин, Б. А. Андреев, А. В. Антонов, З. Ф. Красильник, В. П. Кузнецов, О. А. Кузнецов, Е. А. Ускова, C. A.J. Ammerlaan, G. Pensl // Физика и техника полупроводников . – 2002 . – Т. 36, N 2 . – 178-182 .
Привязано к:
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 2
2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 2
2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный